В. Бабенцов, Ф. Сизов, J. Franc, А. Лученко, Е. Свеженцова, З. Цибрий, “Атомно-силовая микроскопия и фотолюминесценция наноструктурированного CdTe”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9,страницы 1210

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Атомно-силовая микроскопия и фотолюминесценция наноструктурированного CdTe

В. Бабенцов^a, Ф. Сизов^a, J. Franc^b, А. Лученко^a, Е. Свеженцова^a, З. Цибрий^a

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Institute of Physics, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, Prague CZ 121 16, Czech Republic

Аннотация: Исследованы низкоразмерные наностержни CdTe диаметром 10–30 нм и с высоким характеристическим соотношением размеров, достигающим 100. Наностержни были выращены методом физического транспорта через газовую фазу с использованием преципитатов Bi на подложках. Также были выращены тонкие пленки из плотноупакованных гексагональных наностержней CdTe с поперечными размерами $\sim$ (100–200) нм. Атомно-силовая микроскопия показала, что все наностержни в сечении имели шестиугольную форму. При помощи измерений фотолюминесценции мы подтвердили наличие структуры вюрцита CdTe, проанализировали его структурное качество, электрон-фононные связи и дефекты. На основании расчетов из первых принципов проанализирована природа дефектов, приводящих к возникновению глубоких уровней в слоях и объемных кристаллах CdTe.

Поступила в редакцию: 11.12.2012
Принята в печать: 14.12.2012