Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu)

М. М. Мездрогина, Л. С. Костина, Е. И. Белякова, Р. В. Кузьмин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы cпектры фотолюминесценции и электролюминесценции структур на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием редкоземельными металлами (Er, Eu). Показано, что в структурах типа $n$-Si/Er/$p$-Si, $n$-Si/Eu/$p$-Si, изготовленных предложенным в работе методом, может быть реализовано излучение в видимой и инфракрасной областях спектра. Полученные результаты определяют перспективу использования данного метода для создания оптоэлектронных приборов.

Поступила в редакцию: 06.12.2012
Принята в печать: 14.12.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:9, 1193–1197

Реферативные базы данных:

•