Эта публикация цитируется в 23 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-TiN/$p$-Si

М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Аннотация: Фоточувствительные гетероструктуры $n$-TiN/$p$-Si изготовлены напылением тонкой пленки нитрида титана ($n$-типа проводимости) методом реактивного магнетронного распыления на полированные поликристаллические пластины кремния $p$-типа проводимости. Измерены вольт-амперные характеристики гетероструктур при различных температурах. Исследованы температурные зависимости высоты потенциального барьера и последовательного сопротивления гетероперехода $n$-TiN/$p$-Si. Определены доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереход при прямом и обратном смещениях. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода $V_{\mathrm{oc}}$ = 0.4 B и ток короткого замыкания $I_{\mathrm{sc}}$ = 1.36 мА/см$^2$ при освещении с плотностью мощности 80 мВт/см$^2$.

Поступила в редакцию: 18.10.2012
Принята в печать: 31.10.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:9, 1174–1179

Реферативные базы данных:

•