Эта публикация цитируется в 13 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние отжига на время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре

А. А. Пастор^a, У. В. Прохорова^a, П. Ю. Сердобинцев^ab, В. В. Чалдышев^c, М. А. Яговкина<sup>c

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовались образцы GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре (230$^\circ$C). Часть образцов была дополнительно подвергнута послеростовому отжигу при 600$^\circ$C. С помощью оригинальной схемы измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанной на методике накачки–зондирования (pump-probe), было определено время жизни неравновесных носителей заряда, которое до отжига оказалось равным (275 $\pm$ 30) фс. Причиной весьма малого времени жизни в неотожженном материале является большая концентрация точечных дефектов, преимущественно антиструктурных дефектов AsGa. Исследования рентгеновской дифракции и стационарного оптического поглощения показали, что в данных образцах концентрация AsGa составляет 3 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-3}$, что соответствует избытку мышьяка 0.26 ат%. В процессе отжига при 600$^\circ$C сверхстехиометрические дефекты As самоорганизуются и формируют нановключения As в кристаллической матрице GaAs. Показано, что при этом время жизни неравновесных носителей заряда увеличивается до (452 $\pm$ 5) фс. Такое время жизни, по-видимому, преимущественно обеспечивается захватом неравновесных носителей заряда на металлические нановключения As.

Поступила в редакцию: 28.01.2013
Принята в печать: 04.02.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:8, 1137–1140

Реферативные базы данных:

•