RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 8, страницы 1129–1136 (Mi phts7998)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Перспективы импульсного электроосаждения иерархических наноструктур оксида цинка

Н. П. Клочкоab, Ю. А. Мягченкоab, Е. Е. Мельничукab, В. Р. Копачab, Е. С. Клепиковаab, В. Н. Любовab, Г. С. Хрипуновab, А. В. Копачab

a Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"
b Киевский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, 03680 Киев, Украина

Аннотация: Исследования влияния режимов импульсного электроосаждения на структурные и субструктурные параметры, морфологию и оптические свойства массивов кристаллитов оксида цинка позволили выделить режимы, оптимальные для образования наностержней этого материала, ориентированных перпендикулярно поверхности подложки: температура электролита 70–85$^\circ$C, рабочий цикл 40%, частота следования импульсов 2 Гц. Размеры наностержней можно варьировать путем нагревания или охлаждения электролита в указанных выше пределах, благодаря чему мелкие наностержни могут осаждаться на поверхности более крупных, формируя иерархические наноструктуры. Посредством изменения рабочего цикла модифицируется морфология поверхности массивов вплоть до образования мезопористых сетей оксида цинка, которые совместно с наностержнями ZnO способны формировать иерархические наноструктуры, обладающие большой удельной поверхностью.

Поступила в редакцию: 01.11.2012
Принята в печать: 21.11.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:8, 1123–1129

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026