Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Электрофизические явления в структуре металл/наноокисел/$p^+$-кремний при трансформации ее в резонансно-туннельный диод

Г. Г. Карева^a, М. И. Векслер<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Для исследования и разработки новой компонентной базы кремниевой электроники проведен анализ электрофизических явлений в структуре металл–диэлектрик–полупроводник (МДП) при переводе ее размерных параметров в нанометровый диапазон благодаря увеличению уровня легирования дырочного Si до $N_A\sim$ 10$^{19}$ см$^{-3}$ и уменьшению толщины окисла до 0.4–4.0 нм. В результате становится возможным с помощью относительно небольшого (единицы вольт) запирающего напряжения создать необходимые и достаточные условия для резонансного туннелирования электронов. Это приводит к трансформации МДП конденсатора в резонансно-туннельный диод, которая сопровождается принципиальным расширением свойств и функций МДП наноструктуры.

Поступила в редакцию: 10.12.2012
Принята в печать: 14.12.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:8, 1084–1089

Реферативные базы данных:

•