Эта публикация цитируется в 7 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Рентгеновские и синхротронные исследования пористого кремния

В. Н. Сивков^a, А. А. Ломов^b, А. Л. Васильев^c, С. В. Некипелов^d, О. В. Петрова<sup>a

a</sup> Коми научный центр Уральского отделения РАН, г. Сыктывкар
^b Физико-технологический институт Российской академии наук, 117218 Москва, Россия
^c Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
^d Коми педагогический институт, 167982 Сыктывкар, Россия

Аннотация: Обсуждаются результаты комплексных исследований слоев пористого кремния разного типа проводимости, сформированных анодированием стандартных подложек Si(111) в электролите на основе плавиковой кислоты и этанола с добавлением 5% йода и выдержанных длительное время на атмосфере. Измерения проводились методами растровой электронной микроскопии, высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с использованием синхротронного излучения. Определены структурные параметры слоев (толщина, деформация и пористость), а также атомный и химический состав поверхности пористого кремния. Установлено, что на поверхности кремниевого скелетона формируется слой оксида толщиной 1.5–2.3 нм. Ближняя тонкая структура Si $2p$-спектра поглощения этого слоя соответствует тонкой структуре $2p$-спектра хорошо координированного SiO$_2$. При этом тонкая структура в области Si $2p$-края поглощения кремниевого скелетона идентична структуре $2p$-спектра поглощения кристаллического кремния.

Поступила в редакцию: 27.08.2012
Принята в печать: 20.10.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:8, 1051–1057

Реферативные базы данных:

•