Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Отражение света от брэгговской решетки металлических нановключений AsSb в матрице AlGaAs

В. И. Ушанов^a, В. В. Чалдышев^a, В. В. Преображенский^b, М. А. Путято^b, Б. Р. Семягин<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследовались оптические свойства металлополупроводниковых метаматериалов на основе матрицы AlGaAs. Особенностью этих материалов явилось наличие массивов нановключений As и AsSb, модифицирующих диэлектрические свойства материала. Эти нановключения располагались в среде хаотически или образовывали брэгговскую структуру с максимумом отражения на длине волны вблизи 750 нм, соответствующей области прозрачности матрицы. Изучены спектры отражения $s$- и $p$-поляризованного света при разных углах падения. Показано, что массивы нановключений As слабо влияют на оптические свойства среды в изученном диапазоне длин волн 700–900 нм, хаотические массивы нановключений AsSb вызывают сильное рассеяние света, а пространственная периодичность в расположении нановключений AsSb вызывает брэгговский резонанс в отражении света.

Поступила в редакцию: 15.01.2013
Принята в печать: 21.01.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:8, 1046–1050

Реферативные базы данных:

•