М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Г. Г. Коновалов, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, E. Hulicius, A. Hospodkova, Y. Pangrac, “Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 8,страницы 1037

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

М. П. Михайлова^a, И. А. Андреев^a, Э. В. Иванов^a, Г. Г. Коновалов^a, Е. А. Гребенщикова^a, Ю. П. Яковлев^a, E. Hulicius^b, A. Hospodkova^b, Y. Pangrac^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Institute of Physics, Czech Academy of Sciences, 16200 Prague, Czech Republic

Аннотация: Исследованы люминесцентные и фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных на подложках $n$-GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Наблюдалась интенсивная суперлинейная люминесценция и увеличение оптической мощности в зависимости от тока накачки в диапазоне энергий фотонов 0.6–0.8 эВ при температурах $T$ = 77 и 300 K. Детально изучены фотоэлектрические, вольт-амперные и емкостные характеристики исследуемых наноструктур. Фотоответ исследовался при работе фотодетектора в фотовольтаическом режиме в спектральном диапазоне 0.9–2.0 мкм. Максимум чувствительности при комнатной температуре наблюдался на длине волны 1.55 мкм. Проведены оценки квантовой эффективности, обнаружительной способности и быстродействия фотодетекторов. Квантовая эффективность и обнаружительная способность в максимуме спектра при комнатной температуре достигали величин $\eta$ = 0.6–0.7 и $D^*_{\lambda_{\mathrm{max}}}$ = (5–7) $\cdot$ 10$^{10}$см $\cdot$ Гц$^{1/2}$ $\cdot$ Вт$^{-1}$ соответственно. Быстродействие фотодиода, определяемое по времени нарастания импульса фотоотклика на уровне 0.1–0.9, составляет величину 100–200 пс. Полоса пропускания фотодиодов достигает 2–3 ГГц. Фотодетекторы с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенные на подложках $n$-GaSb, перспективны для использования в системах гетеродинного приема и в информационных технологиях.

Поступила в редакцию: 29.12.2012
Принята в печать: 10.01.2013