Эта публикация цитируется в 11 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние температуры и легирования редкоземельными элементами на подвижность носителей заряда в кристаллах моноселенида индия

А. Ш. Абдинов^a, Р. Ф. Бабаева^b, С. И. Амирова^a, Р. М. Рзаев<sup>a

a</sup> Бакинский государственный университет
^b Азербайджанский Государственный экономический университет, Az-1145 Баку, Азербайджан

Аннотация: В диапазоне температур $T$ = 77–600 K экспериментально исследована зависимость подвижности носителей тока $(\mu)$ от исходного темнового удельного сопротивления при 77 K $(\rho_{d0})$, температуры и уровня легирования $(N)$ редкоземельными элементами типа гадолиния (Gd), гольмия (Ho), диспрозия (Dy) в кристаллах моноселенида индия (InSe) $n$-типа проводимости. Установлено, что обнаруженные с точки зрения теории подвижности носителей тока в кристаллических полупроводниках аномалии в зависимостях $\mu(T)$, $\mu(\rho_{d0})$ и $\mu(N)$ связаны прежде всего с частичной неупорядоченностью кристаллов моноселенида индия и удовлетворительно могут объясняться наличием в свободных энергетических зонах хаотических дрейфовых барьеров.

Поступила в редакцию: 29.10.2012
Принята в печать: 06.11.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:8, 1013–1017

Реферативные базы данных:

•