Эта публикация цитируется в 8 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование свойств новых конструкций метаморфного буфера InAlAs на подложках GaAs с распределенной компенсацией упругих деформаций

Г. Б. Галиев^a, С. С. Пушкарев^ab, И. С. Васильевский^b, Е. А. Климов^a, Р. М. Имамов<sup>c

a</sup> Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва

Аннотация: Предложены и реализованы две новые конструкции метаморфного буфера, представляющие собой модификации линейного метаморфного буфера In$_x$Al$_{1-x}$As за счет групп слоев с отличающимися параметрами решетки, и позволяющие влиять на релаксацию метаморфного буфера. Также проведены исследования структурных и электрофизических характеристик полученных метаморфных НЕМТ-наногетероструктур.

Поступила в редакцию: 11.09.2012
Принята в печать: 17.09.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:7, 997–1002

Реферативные базы данных:

•