Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Теория стационарных плоских волн туннельно-ударной ионизации

А. С. Кюрегян

Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина

Аннотация: Проведен теоретический анализ влияния межзонного и примесного туннелирования на свойства стационарных плоских волн ионизации в $p^+$–$n$–$n^+$-структурах. Показано, что в качественном отношении такие волны туннельно-ударной ионизации не отличаются от обычных волн ударной ионизации, распространяющихся за счет лавинного размножения однородно распределенных затравочных электронов и дырок. Количественные отличия волн туннельно-ударной ионизации от волн ударной ионизации сводятся к несколько иному соотношению между скоростью волны $u$ и максимальной напряженностью поля $E_M$ на фронте. Показано, что пренебрежение ударной ионизацией не исключает возможность существования волн туннельной ионизации, однако их структура радикально изменяется, а скорость сильно уменьшается при том же значении $E_M$. Сравнение зависимостей $u(E_M)$ для различных типов волн ионизации позволило определить условия, при которых один из них является преобладающим. В заключение обсуждены еще нерешенные вопросы теории волн туннельно-ударной ионизации и намечены направления дальнейших исследований.

Поступила в редакцию: 02.10.2012
Принята в печать: 11.10.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:7, 978–986

Реферативные базы данных:

•