RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7, страницы 962–969 (Mi phts7971)

Эта публикация цитируется в 16 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Механизм передачи электронного возбуждения в органических светоизлучающих устройствах на основе полупроводниковых квантовых точек

А. Г. Витухновскийa, А. А. Ващенкоa, В. С. Лебедевab, Р. Б. Васильевc, П. Н. Брунковde, Д. Н. Бычковскийe

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e ЗАО "Оптоган-ОСР", 198205 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования образцов органических светодиодов с люминесцентными слоями, изготовленными на основе двух типов полупроводниковых квантовых точек CdSe/CdS, со средним диаметром ядра CdSe 3, 5 нм и характерной толщиной оболочки CdS 0.5 нм. Определены зависимости эффективности светодиодов от концентрации квантовых точек. По экспериментальным данным был определен механизм передачи электронного возбуждения от органической матрицы к полупроводниковым квантовым точкам, и на основании этого высказаны предложения о способах оптимизации конструкции светодиодов для повышения их эффективности.

Поступила в редакцию: 24.09.2012
Принята в печать: 24.09.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:7, 971–977

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026