RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7, страницы 954–961 (Mi phts7970)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Углеродные системы

Адсорбция на перестраиваемом бислое графена. Модельный подход

З. З. Алисултановab

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия

Аннотация: В рамках модели Андерсона рассмотрена задача об адсорбции атомов на поверхности перестраиваемого бислоя графена. Получены аналитические выражения для плотности состояний бислоя графена и адатома, исследован зарядовый обмен между адатомами и бислоем графена. Сделаны оценки заряда адатомов некоторых элементов. Исследовано изменение плотности состояний перестраиваемого бислоя графена, вызванное адсорбцией атомов.

Поступила в редакцию: 27.09.2012
Принята в печать: 12.11.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:7, 962–970

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026