Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Терагерцовая электролюминесценция сверхрешеток Фибоначчи

К. В. Малышев

Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана

Аннотация: Теоретически исследована электролюминесценция в терагерцовом диапазоне фибоначчиевых AlGaAs-сверхрешеток. В электрических полях $F$ = 11–13 кВ/см в диапазоне частот $f$ = 2–4 ТГц обнаружено линейное поведение коэффициента оптического усиления $G$ и многоцветное излучение с пиками $G$ выше 20 1/см без сопутствующих пиков поглощения. Параметрами пиков удобно управлять с помощью электрического поля, а также меняя толщину слоев сверхрешетки. Такие излучатели на квазипериодических сверхрешетках перспективны для “терагерцовой технологии”.

Поступила в редакцию: 27.06.2012
Принята в печать: 22.10.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:7, 947–951

Реферативные базы данных:

•