Физика полупроводниковых приборов

Моделирование транспортных и излучательных характеристик светоизлучающего латерального кремниевого $p^+$–$i$–$n^+$-транзистора с самоформирующимися Ge(Si)-наноостровками

Е. В. Демидов, В. Е. Захаров, В. Б. Шмагин, А. Н. Яблонский, А. В. Новиков

Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Проведено моделирование транспортных и излучательных характеристик экспериментально исследованных ранее светоизлучающих латеральных кремниевых $p^+$–$i$–$n^+$-транзисторов с массивом Ge(Si)-наноостровков, сформированных на подложке-“кремний-на-изоляторе”. Выполненное моделирование позволило количественно описать экспериментальные результаты, свидетельствующие о возможности управления пространственным распределением интенсивности излучения в таких светоизлучающих транзисторах за счет подачи управляющего напряжения на подложку. Показано, что такая возможность возникает за счет управления индуцированным каналом проводимости для электронов или дырок, формируемым на границе структуры со скрытым окислом.

Ключевые слова: светоизлучающие $p^+$–$i$–$n^+$-транзисторы, Ge(Si)-наноостровки, пространственная локализация, электролюминесценция.

Поступила в редакцию: 04.06.2025
Исправленный вариант: 23.06.2025
Принята в печать: 17.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.04.61258.8246