Международная конференция ФизикА.СПб/2025

Управление плотностью носителей заряда в фототранзисторных структурах на основе CVD-MoS$_2$ атомарной толщины

И. А. Елисеев^a, V. A. Kurtash^b, J. Pezoldt^b, В. Ю. Давыдов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Технический университет Ильменау (TU Ilmenau), 100565 Ильменау, Германия

Аннотация: Оптимизация свойств двумерных полупроводников для их применения в различных типах электронных приборов является одной из важнейших задач современной наноэлектроники. Исследованы особенности управления концентрацией носителей заряда в монослойном и двухслойном MoS$_2$ с помощью изменения затворного напряжения транзистора. Изучено влияние включений MoS$_2$ двухслойной толщины с регулярной (3$R$) и нерегулярной последовательностью укладки на степень нелинейности вольт-амперных характеристик и отклик параметров MoS$_2$ на напряжение на затворе.

Ключевые слова: дисульфид молибдена, фототранзистор, гистерезис, спектроскопия КРС, фотолюминесценция, носители заряда.

Поступила в редакцию: 06.05.2025
Исправленный вариант: 04.07.2025
Принята в печать: 10.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.04.61256.8116