Международная конференция ФизикА.СПб/2025

Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN

А. А. Лебедев^a, В. В. Козловский^ab, Д. А. Малевский^a, А. В. Сахаров^a, К. С. Давыдовская^a, М. Е. Левинштейн^a, А. Е. Николаев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Создание приборов на основе широкозонных полупроводников является одним из наиболее быстроразвивающихся направлений современной электроники. В статье проведено сравнение влияния температуры облучения на радиационную стойкость GaN при облучении протонами и электронами. Определена скорость удаления носителей в GaN в случае облучения протонами и электронами при повышенных температурах. Показано, что, как и в случае SiC, происходит значительное уменьшение скорости удаления носителей при температуре облучения 200$^\circ$C по сравнению с облучением при комнатной температуре.

Ключевые слова: GaN, SiC, радиационная стойкость, температура облучения, протоны, электроны.

Поступила в редакцию: 04.05.2025
Исправленный вариант: 02.07.2025
Принята в печать: 02.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.04.61255.8005