Международная конференция ФизикА.СПб/2025

Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе наноструктурированного “черного” кремния с пасcивирующим слоем $n$-GaP

О. П. Михайлов^a, А. И. Баранов^a, А. А. Максимова^ab, А. В. Уваров^a, Е. А. Вячеславова^a, А. С. Гудовских<sup>ab

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы гетероструктурные солнечные элементы на подложках $p$-Si, легированных B, на поверхности $b$-Si, созданного сухим травлением. В качестве $n$-слоя выступает тонкий слой широкозонного GaP, выращенного атомно-слоевым плазмохимическим осаждением. Было показано, что облучение потоком электронов с энергией 1 МэВ и флюенсом 5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$ приводит к уменьшению плотности тока короткого замыкания с 26.3 до 12.2 мА/см$^2$, а при 1 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$ – до 2.8 мА/см$^2$. Согласно спектрам квантовой эффективности и спектрам нестационарной спектроскопии глубоких уровней, в объеме Si не происходит существенного ухудшения его свойств. С другой стороны, после облучения на ВАХ появляется перегиб, свидетельствующий о наличии паразитного барьера в структуре, причиной которого является несовершенство металлического контакта к $n$-GaP из-за ухудшения его свойств после облучения.

Ключевые слова: фосфид галия, черный кремний, спектроскопия полной проводимости, нестационарная спектроскопия глубоких уровней.

Поступила в редакцию: 06.05.2025
Исправленный вариант: 30.06.2025
Принята в печать: 09.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.04.61254.8113