Международная конференция ФизикА.СПб/2025

Экспериментально-аналитическое исследование проблемы компенсации механических напряжений в системе InGaAs множественных квантовых ям для излучателей ближнего инфракрасного диапазона

Р. А. Салий^ab, А. В. Малевская^a, Д. А. Малевский^a, С. А. Минтаиров^a, А. М. Надточий^b, Н. А. Калюжный<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассмотрена применимость различных методов расчета оптимальной толщины компенсирующих слоев для InGaAs множественных квантовых ям, используемых в активной области (Al)GaAs-светодиодов ближнего инфракрасного диапазона, выращенных на вицинальных подложках. Экспериментально показана высокая точность методов для структур на подложках с малой разориентацией (до 2$^\circ$). Для структур на сильно разориентированных подложках (6$^\circ$+) применимость методов ограничена поиском толщины компенсирующих слоев в первом приближении. Созданы светодиоды с высокими кпд (62%), квантовой эффективностью (57%) и высокой оптической мощностью при токе до 1 А.

Ключевые слова: квантовые ямы, InGaAs, МОГФЭ, гетероструктуры, светодиод.

Поступила в редакцию: 28.04.2025
Исправленный вариант: 19.07.2025
Принята в печать: 27.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.04.61247.7907