В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин, Н. А. Юзеева, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, “Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/InP”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7,страницы 927

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/InP

В. А. Кульбачинский^a, Р. А. Лунин^a, Н. А. Юзеева^ab, И. С. Васильевский^c, Г. Б. Галиев^b, Е. А. Климов^b

^a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, 119991 ГСП-1, Москва, Россия
^b Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
^c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Исследовано влияние ширины квантовой ямы $L$ и легирования на зонную структуру, рассеяние и подвижность электронов в наногетероструктурах с изоморфной квантовой ямой In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/ In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As, выращенных на подложках InP. Из данных по эффекту Шубникова–де-Гааза получены квантовые и транспортные подвижности электронов в подзонах размерного квантования. Рассчитаны подвижности электронов в подзонах размерного квантования при рассеянии на ионизированных примесях с учетом межподзонных переходов. Показано, что рассеяние на ионизированных примесях в исследуемых образцах является доминирующим. При температурах ниже 170 K обнаружена замороженная фотопроводимость, обусловленная пространственным разделением фотовозбужденных носителей заряда.

Поступила в редакцию: 08.10.2012
Принята в печать: 20.10.2012