Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Поглощение и фотолюминесценция тройных наноструктурированных стеклообразных полупроводниковых систем Ge–S–Ga(In)

А. А. Бабаев^a, В. Х. Кудоярова<sup>b

a</sup> Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции, спектры возбуждения люминесценции, краевое, инфракрасное поглощение, поглощение стеклообразных полупроводниковых систем Ge–S–Ga(In). Наблюдаемые сдвиги края оптического поглощения, спектра фотолюминесценции (уменьшение полуширины спектра) и спектры возбуждения люминесценции в область меньших энергий при введении Ga или In в бинарные системы Ge–S связаны с тем, что Ga или In имеют тенденцию взаимодействовать скорее с серой, чем с германием. С ростом содержания Ga(In) в системе полоса поглощения, ответственная за колебания связи Ge–S, уменьшается.

Поступила в редакцию: 13.08.2012
Принята в печать: 28.08.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:7, 908–910

Реферативные базы данных:

•