Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Новые акцепторные центры фоновых примесей в $p$-CdZnTe

С. В. Пляцко, Л. В. Рашковецкий

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Низкотемпературная фотолюминесценция была использована для исследования перераспределения фоновых примесей и основных компонентов монокристаллов CdZnTe $p$-типа проводимости с удельным сопротивлением 1–50 Ом $\cdot$ см при взаимодействии с лазерным инфракрасным излучением. Установлен эффект увеличения ширины запрещенной зоны и образования новых акцепторных центров в результате лазерно-стимулированных изменений в системе собственных дефектов. Найдена энергия активации новых акцепторных уровней.

Поступила в редакцию: 24.05.2012
Принята в печать: 19.10.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:7, 899–907

Реферативные базы данных:

•