RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 859–863 (Mi phts7941)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние ионной обработки на свойства пленок In$_2$O$_3$ : Sn

П. Н. Крыловa, Р. М. Закироваa, И. В. Федотоваa, Ф. З. Гильмутдиновb

a Удмуртский государственный университет, г. Ижевск
b Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, 426000 Ижевск, Россия

Аннотация: Представлено изменение свойств пленок ITO, полученных методом реактивного ВЧ магнетронного напыления с одновременной ионной обработкой в зависимости от тока ионной обработки и температуры подложки. Ионная обработка растущей пленки в процессе напыления незначительно меняет относительное количество олова и индия, но существенно увеличивает электропроводность. Пленки, полученные при температуре ниже 50$^\circ$C без ионной обработки, являются рентгеноаморфными. Ионная обработка и увеличение температуры конденсации приводят к кристаллизации пленок и сдвигу края оптического поглощения в сторону коротких длин волн. Увеличение тока ионной обработки вызывает появление текстуры.

Поступила в редакцию: 01.08.2012
Принята в печать: 28.08.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:6, 870–874

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026