RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 838–844 (Mi phts7938)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование методом DLTS пластически деформированного германия $n$-типа после легирования медью

С. А. Шевченко, А. И. Колюбакин

Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Классический и альтернативный методы релаксационной емкостной спектроскопии использовались для изучения постоянных времен захвата электронов на атомы замещающей меди Cu$_s^{2-}$ и тепловой эмиссии электронов с атомов Cu$_s^{3-}$ в пластически деформированном германии $n$-типа, легированном примесью меди. Определены энергия активации $E_\sigma$ и величина сечения захвата электронов, энергия третьего акцепторного уровня $E_3$, обусловленного атомами Cu$_s^{3-}$, и энтропия ионизации. Отсутствие уширения уровня $E_3$, экспоненциальная кинетика захвата электронов для длительности заполняющего импульса $t_p\lesssim$ 1 мс, независимость рекомбинационных параметров атомов Cu$_s^{2-/3-}$ от плотности дислокаций и низкая их концентрация в деформированных образцах позволяют заключить, что спектры DLTS обусловлены атомами Cu$_s^{2-/3-}$, расположенными вне цилиндров Рида.

Поступила в редакцию: 25.06.2012
Принята в печать: 20.07.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:6, 849–855

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026