RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 833–837 (Mi phts7937)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние оптических потерь на динамические характеристики линейных матричных излучателей на основе вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона

С. А. Блохинabc, М. А. Бобровac, Н. А. Малеевac, А. Г. Кузьменковac, В. В. Стеценкоc, М. М. Павловac, Л. Я. Карачинскийabc, И. И. Новиковabc, Ю. М. Задирановa, А. Ю. Егоровc, В. М. Устиновa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано влияние уровня внутренних и внешних оптических потерь на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 850 нм. Показано, что увеличение внутренних потерь ведет к падению быстродействия лазера и преобладанию тепловых эффектов, тогда как уменьшение потерь на вывод излучения ведет к повышению быстродействия лазера и доминированию демпфирования эффективной частоты модуляции. Созданы и исследованы линейные матричные излучатели формата 1$\times$ 4 на основе быстродействующих ВИЛ с индивидуальной адресацией элементов. Индивидуальные лазерные излучатели с диаметром токовой апертуры 5–7 мкм демонстрируют лазерную генерацию в непрерывном режиме при комнатной температуре в диапазоне 850 нм с пороговыми токами не более 0.5 мА, дифференциальной эффективностью не менее 0.6 Вт/А, полосой модуляции до 20 ГГц и MCEF-фактором $\sim$ 10 ГГц/мА$^{1/2}$.

Поступила в редакцию: 02.11.2012
Принята в печать: 12.11.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:6, 844–848

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026