З. З. Алисултанов, “К теории электронных состояний системы "квантовая точка–графен–подложка SiO$_2$+$n^+$-Si"”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6,страницы 805

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Углеродные системы

К теории электронных состояний системы "квантовая точка–графен–подложка SiO$_2$+$n^+$-Si"

З. З. Алисултанов^ab

^a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
^b Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия

Аннотация: Исследованы электронные состояния системы "квантовая точка–монослой графена–подложка SiO$_2$+$n^+$-Si" во внешнем магнитном поле. Получено аналитическое выражение для величины переходящего заряда в такой системе. Рассмотрены электронные состояния системы "квантовая точка–бислой графена–подложка SiO$_2$+$n^+$-Si". Исследуемые системы интересны с точки зрения возможности управления оптическими свойствами квантовой точки с помощью приложенного электрического поля.

Поступила в редакцию: 24.05.2012
Принята в печать: 28.08.2012