А. И. Мостовой, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, “Механизмы токопереноса в анизотипных гетероструктурах $n$-ТiО$_2$/$p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6,страницы 788

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Механизмы токопереноса в анизотипных гетероструктурах $n$-ТiО$_2$/$p$-Si

А. И. Мостовой^a, В. В. Брус^b, П. Д. Марьянчук^a

^a Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
^b Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Изготовлены анизотипные гетеропереходы $n$-ТiО$_2$/$p$-Si методом магнетронного напыления пленки ТiО$_2$ на полированную подложку поликристаллического кремния. Исследованы электрические свойства, и установлены доминирующие механизмы токопереноса: многоступенчатый туннельно-рекомбинационный механизм с участием поверхностных состояний на металлургической границе раздела TiO$_2$/Si при малых прямых смещениях $V$, туннелирование при $V >$ 0.6 В. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках туннельного механизма токопереноса.

Поступила в редакцию: 24.05.2012
Принята в печать: 04.06.2012