Эта публикация цитируется в 3 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках $a$-Si : H

И. А. Курова, Н. Н. Ормонт

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Проведены исследования температурных зависимостей темновой проводимости и фотопроводимости отожженных и предварительно освещенных нелегированных пленок $a$-Si : H в различных режимах изменения температуры. Исследована также кинетика изменения фотопроводимости и темновой проводимости пленок во время и после их освещения при разных температурах. Показано, что аномальный характер полученных зависимостей может быть обусловлен образованием двух типов фотоиндуцированных дефектов, имеющих разную энергию образования и термического отжига и энергетические уровни, расположенные в разных областях запрещенной зоны исследованных пленок.

Поступила в редакцию: 30.07.2012
Принята в печать: 13.08.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:6, 767–770

Реферативные базы данных:

•