П. И. Баранский, Г. П. Гайдар, “Метод определения степени компенсации электрически активных примесей в многодолинных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6,страницы 737

Электронные свойства полупроводников

Метод определения степени компенсации электрически активных примесей в многодолинных полупроводниках

П. И. Баранский^a, Г. П. Гайдар^b

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Институт ядерных исследований НАН Украины

Аннотация: Предложен метод определения степени компенсации $k=N_a/N_d$ для примесей мелкого залегания в кристаллах $n$-Si с невырожденным электронным газом. Приведены необходимые данные, которые обеспечивают удобство при практическом нахождении степени компенсации.

Поступила в редакцию: 15.03.2012
Принята в печать: 19.09.2012