Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние примесей фтора, азота и углерода на электронные и магнитные свойства WO$_3$

И. Р. Шеин, А. Л. Ивановский

Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: В рамках теории функционала электронной плотности (программный пакет VASP) изучено влияние $sp$ примесей замещения: фтора (электронный допант), азота и углерода (дырочные допанты) на электронные и магнитные свойства триоксида вольфрама WO$_3$. Установлено, что эти примеси индуцируют переход триоксида вольфрама (немагнитный полупроводник) в состояние немагнитного металла (WO$_3$:F), магнитного полуметалла (WO$_3$:N) или магнитного металла (WO$_3$:С).

Поступила в редакцию: 09.06.2012
Принята в печать: 10.09.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:6, 740–744

Реферативные базы данных:

•