RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 728–731 (Mi phts7915)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Электронные свойства полупроводников

Энергетические состояния иона Cr$^{2+}$ в кристаллах ZnSe

Ю. А. Ницук

Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова

Аннотация: Исследованы монокристаллы ZnSe : Cr, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности в области энергий 0.4–3 эВ. По величине смещения края поглощения определена концентрация хрома в исследуемых кристаллах. Рассчитаны энергетические состояния иона Cr$^{2+}$ в кристаллах ZnSe. Идентифицирована природа оптических переходов, определяющих оптические свойства монокристаллов ZnSe : Cr в видимой и ИК областях спектра. Эффективное возбуждение ИК люминесценции кристаллов ZnSe : Cr осуществляется светом из области собственного поглощения ионов Cr$^{2+}$.

Поступила в редакцию: 16.07.2012
Принята в печать: 28.08.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:6, 736–739

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026