Эта публикация цитируется в 23 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия

Т. В. Львова^a, М. С. Дунаевский^a, М. В. Лебедев^a, А. Л. Шахмин^b, И. В. Седова^a, С. В. Иванов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петребургский государственный политехнический университет 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии проведен анализ элементного состава и электронно-энергетической структуры как естественно окисленной поверхности подложек InSb (100), так и подложек, обработанных в водных растворах сульфида натрия. Установлено, что в результате обработки в 1 М водном растворе Na$_2$S и последующем отжиге в вакууме при температуре 150$^\circ$C происходит полное удаление поверхностного слоя комплексных оксидов сурьмы и индия нестехиометрического состава с образованием сплошного хемосорбированного слоя атомов серы, когерентно-связанного с атомами индия. Согласно данным атомно-силовой микроскопии, в процессе сульфидной пассивации не происходит травления основного материала подложки. Обнаружен сдвиг (на 0.37 эВ) линии объемной фотоэмиссии In–Sb в сторону больших энергий связи, что свидетельствует о сдвиге поверхностного уровня Ферми в глубь зоны проводимости.

Поступила в редакцию: 03.10.2012
Принята в печать: 17.10.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:5, 721–727

Реферативные базы данных:

•