Эта публикация цитируется в 6 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Ионная проводимость и диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe$_2$, облученных $\gamma$-квантами

Р. М. Сардарлы^a, О. А. Самедов^a, А. П. Абдуллаев^a, Э. К. Гусейнов^b, Ф. Т. Салманов^a, Н. А. Алиева^a, Р. Ш. Агаева<sup>a

a</sup> Институт радиационных проблем НАН Азербайджана
^b Институт физики НАН Азербайджана

Аннотация: Исследованы эффект переключения, полевые и температурные зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности кристаллов TlGaTe$_2$, подвергнутых $\gamma$-облучению в различных дозах. При сравнительно низких электрических полях в кристаллах наблюдается явление порогового переключения с $S$-образной вольт-амперной характеристикой, содержащей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. В области критических напряжений наблюдаются осцилляции тока и напряжения, а также наложенная на них модуляция. Обсуждаются возможные механизмы переключения, ионной проводимости, неупорядоченности и электрической неустойчивости в кристалле TlGaTe$_2$.

Поступила в редакцию: 03.04.2012
Принята в печать: 09.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:5, 707–712

Реферативные базы данных:

•