Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Генерация мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде

С. К. Любутин^a, С. Н. Рукин^a, Б. Г. Словиковский^a, С. Н. Цыранов<sup>ab

a</sup> Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург
^b Уральский федеральный университет, 620002 Екатеринбург, Россия

Аннотация: Исследован механизм генерации мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде. Через диод с толщиной структуры 320 мкм, глубиной залегания $p$–$n$-перехода 220 мкм и площадью 0.5 см$^2$ пропускался обратный ток амплитудой 2 кА. При среднем напряжении на диоде около 300 B и длительности СВЧ импульса $\sim$ 200 нс максимальный размах наблюдаемых колебаний достигает 480 В. Частота колебаний находится в диапазоне от 5 до 7 ГГц, а мощность СВЧ компоненты импульса составляет $\sim$ 300 кВт. Теоретическое рассмотрение показало, что колебания напряжения обусловлены периодически повторяющимися процессами пробоя и заполнения структуры плазмой с последующим ее удалением обратным током. Частота и размах колебаний определяются плотностью тока и градиентом концентрации легирующих примесей в окрестности $p$–$n$-перехода.

Поступила в редакцию: 06.06.2012
Принята в печать: 21.06.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:5, 670–678

Реферативные базы данных:

•