Эта публикация цитируется в 1 статье

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Электрофизические свойства мезопористого кремния, пассивированного железом

Д. И. Биленко, В. В. Галушка, Э. А. Жаркова, И. Б. Мысенко, Д. В. Терин, Е. И. Хасина

Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Исследованы вольт-амперные, вольт-фарадные характеристики структур на основе мезопористого кремния, полученного методом неэлектролитического травления при пассивации железом (SiMP:Fe). Показано, что в гетероструктурах Al–SiMP:Fe–$p$-Si–Al проводимость и барьеры зависят от концентрации Fe неоднозначно. Пассивация железом изменяет не только величину проводимости слоя SiMP:Fe, но и характер переноса носителей на низких частотах. При концентрации железа $\sim$ 1 ат% преимущественным становится туннельный перенос сквозь барьеры по сравнению с “прыжковым” по оборванным связям. Пассивация железом слоя SiMP стабилизирует электрофизические свойства, что подтвердилось значениями концентрации ловушек, оцененными по ВАХ, при длительном хранении структур. Это, вероятно, связано с процессами взаимодействия ионов железа с поверхностью кремния с образованием окислов.

Поступила в редакцию: 30.07.2012
Принята в печать: 13.08.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:5, 657–661

Реферативные базы данных:

•