Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs

В. Я. Алешкин^a, А. А. Дубинов^a, М. Н. Дроздов^a, Б. Н. Звонков^b, К. Е. Кудрявцев^a, А. А. Тонких^ac, А. Н. Яблонский^a, P. Werner<sup>c

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^c Max Planck Institute of Microstructure Physics, D-06120 Halle (Saale), Germany

Аннотация: С использованием метода лазерного распыления были выращены гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs. Проведены структурные и оптические исследования полученных гетероструктур. Обнаружена широкая линия фотолюминесценции в диапазоне длин волн 1300–1650 нм, соответствующая непрямым переходам в импульсном пространстве Ge квантовой ямы и непрямым в координатном, но прямым в импульсном пространстве переходам между слоями In$_{0.28}$Ga$_{0.72}$As и Ge.

Поступила в редакцию: 09.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:5, 636–640

Реферативные базы данных:

•