Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Эволюция размеров доменов при переключении состояний одномерной системы с дефектами

Б. В. Петухов

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва

Аннотация: Кинетика распада метастабильных состояний в совершенных материалах успешно описывается известной статистической теорией Колмогорова–Джонсона-Мела. В предлагаемой работе эта теория обобщается с учетом влияния хаотически расположенных дефектов, создающих задержки для распространения границ новой фазы, применительно к одномерным системам. Рассчитывается случайно неоднородная в пространстве и времени картина (pattern) фазового превращения в зависимости от плотности препятствий и длительности создаваемых ими времен задержек. Теория применима к протяженным контактам больших интегральных схем, магнитным нанопроволокам, интеркапсулированным в углеродные нанотрубки квазиодномерным полупроводникам, биологическим макромолекулам и многим другим системам.

Поступила в редакцию: 16.04.2012
Принята в печать: 06.06.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:5, 628–635

Реферативные базы данных:

•