RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
2013
, том 47,
выпуск 5,
страницы
604–607
(Mi phts7894)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Эффект поверхностного рассеяния носителей в спектрах фотопроводимости CdS
А. С. Батырев
a
,
Р. А. Бисенгалиев
a
,
Б. В. Новиков
b
a
Калмыцкий государственный университет, 358000 Элиста, Россия
b
Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация:
В спектрах низкотемпературной (77 K) фотопроводимости кристаллов CdS 2-й группы, подвергнутых воздействию внешнего обогащающего поперечного электрического поля, обнаружен эффект, обусловленный рассеянием электронов на поверхности полупроводника.
Поступила в редакцию:
30.07.2012
Принята в печать:
28.08.2012
DOI:
10.1134/S1063782613050059
Полный текст:
PDF файл (176 kB)
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013,
47
:5,
619–622
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2026