RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 604–607 (Mi phts7894)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Эффект поверхностного рассеяния носителей в спектрах фотопроводимости CdS

А. С. Батыревa, Р. А. Бисенгалиевa, Б. В. Новиковb

a Калмыцкий государственный университет, 358000 Элиста, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: В спектрах низкотемпературной (77 K) фотопроводимости кристаллов CdS 2-й группы, подвергнутых воздействию внешнего обогащающего поперечного электрического поля, обнаружен эффект, обусловленный рассеянием электронов на поверхности полупроводника.

Поступила в редакцию: 30.07.2012
Принята в печать: 28.08.2012

DOI: 10.1134/S1063782613050059


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:5, 619–622

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026