И. Е. Тысченко, В. А. Володин, М. Фельсков, А. Г. Черков, В. П. Попов, “Кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5,страницы 591

Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов

И. Е. Тысченко^a, В. А. Володин^b, М. Фельсков^c, А. Г. Черков^a, В. П. Попов^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет
^c Институт ионно-лучевой физики и материаловедения, 01328 Дрезден, Германия

Аннотация: Исследована кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием импульсного миллисекундного отжига. Сразу после имплантации ионов водорода обнаружено формирование трехфазной структуры, состоящей из нанокристаллов кремния, аморфного кремния и водородных пузырей. Показано, что при импульсном отжиге нанокристалическая структура пленок сохраняется вплоть до температуры $\sim$ 1000$^\circ$C. С ростом температуры миллисекундного отжига размеры нанокристаллов увеличиваются от 2 до 5 нм, а доля нанокристаллической фазы возрастает до $\sim$ 70%. Из анализа энергии активации роста кристаллической фазы сделано предположение о том, что процесс кристаллизации пленок кремния с большим ($\sim$ 50 ат%) содержанием водорода лимитирован диффузией атомарного водорода.

Поступила в редакцию: 25.06.2012
Принята в печать: 02.07.2025