Эта публикация цитируется в 10 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Особенности формирования наноразмерных объектов в системе InSb/InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

В. В. Романов, П. А. Дементьев, К. Д. Моисеев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Квантовые штрихи (до 4 $\cdot$ 10$^9$ см$^{-2}$) и квантовые точки (7 $\cdot$ 10$^9$ cm$^{-2}$) InSb были получены на подложке InAs(100) стандартным методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в интервале температур 420–440$^\circ$C. Трансформация формы и размеров квантовых штрихов наблюдалась в зависимости от технологических условий эпитаксиального осаждения (качества поверхности матрицы, температуры роста, скорости потока, соотношения V/III групп в газовой фазе и др.). Управление скоростью диффузиии реагентов по поверхности матрицы на основе эпитаксиального слоя InAs приводило к изменению поперечных размеров осаждаемых квантовых штрихов в интервале величин: 150–500 нм в длину и 100–150 нм в ширину соответственно, при сохранении высоты 50 нм. Квантовые точки InSb были выращены на поверхности подложки InAs при $T$ = 440$^\circ$C. Наблюдалось бимодальное распределение нанообъектов по размерам: квантовые точки малых размеров (средняя высота 15 нм, средний диаметр 60 нм) и крупных размеров (средняя высота 25 нм, средний диаметр 110 нм).

Поступила в редакцию: 21.06.2012
Принята в печать: 02.07.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:3, 443–448

Реферативные базы данных:

•