Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN

М. М. Рожавская, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, С. И. Трошков, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено исследование влияния состава газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер протекания процесса селективной эпитаксии GaN в полосковых окнах, ориентированных вдоль кристаллографического направления $\langle\bar{1}100\rangle$ GaN для различной ширины маскирующего покрытия. Показано, что добавление азота в атмосферу реактора приводит к изменению огранки полоско́в, ограниченных широкой (40 мкм) маской, с прямоугольной, ограниченной вертикальной боковой гранью $\{1\bar{1}20\}$, на трапециевидную с наклонной боковой гранью $\{1\bar{1}22\}$. Показано также, что при росте в азот-водородной смеси поток галлия начинает значительно влиять на огранку формирующихся полоско́в. Продемонстрирована существенная нестационарность процесса, приводящая к заметному изменению типа огранки по мере увеличения поперечного сечения полоска.

Поступила в редакцию: 18.06.2012
Принята в печать: 25.06.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:3, 437–442

Реферативные базы данных:

•