Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода

Д. В. Шенгуров^a, В. Ю. Чалков^b, С. А. Денисов^b, В. Г. Шенгуров^b, М. В. Степихова^a, М. Н. Дроздов^a, З. Ф. Красильник<sup>a

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Продемонстрированы технология и свойства светоизлучающих легированных эрбием и кислородом Si-структур. Слои были осаждены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на (100)Si, используя кремниевый сублимационный источник, легированный Er. Перед ростом слоев парциальное давление кислородсодержащих газов в камере роста установки молекулярно-лучевой эпитаксии было меньше 5 $\cdot$ 10$^{-10}$ Торр. Концентрация кислорода в слоях Si, выращенных при 450$^\circ$C, была $\sim$ 1 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-3}$, а эрбия – 10$^{18}$ см$^{-3}$. Эпитаксиальные слои кремния, солегированные эрбием и кислородом, имели хорошее кристаллическое качество, демонстрируя эффективный сигнал фото- и электролюминесценции с преобладанием в спектрах оптически активного центра Er-1, формируемого в процессе послеростового отжига при температуре 800$^\circ$C.

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:3, 433–436

Реферативные базы данных:

•