Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои

М. В. Шалеев^a, А. В. Новиков^a, Д. В. Юрасов^a, J. M. Hartmann^b, О. А. Кузнецов^c, Д. Н. Лобанов^a, З. Ф. Красильник<sup>a

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b CEA / Leti, 38054 Grenoble, France
^c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Выполнены исследования критической толщины двумерного роста Ge на релаксированных буферных слоях SiGe/Si(001) с различным процентным содержанием Ge в зависимости от параметров слоев. Показано, что, кроме рассогласования кристаллических решеток пленки и подложки, на величину критической толщины двумерного роста Ge на буферных слоях SiGe существенное влияние оказывают сегрегация Ge при росте слоев SiGe и изменение шероховатости поверхности роста при осаждении напряженных (растянутых) слоев Si. Выявлено, что критическая толщина двумерного роста Ge непосредственно на буферных слоях SiGe с долей Ge $x$ = 11–36% меньше, чем при осаждении на Si(001) подложку. Обнаруженное увеличение критической толщины двумерного роста Ge при увеличении толщины предосажденного на буфер напряженного (растянутого) слоя Si связывается с уменьшением, как шероховатости поверхности роста, так и количеством Ge, находящегося на ней вследствие сегрегации.

Поступила в редакцию: 09.04.2012
Принята в печать: 16.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:3, 427–432

Реферативные базы данных:

•