Эта публикация цитируется в 24 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Оптимизация условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия применительно к кремниевым солнечным элементам

Г. Г. Унтила, Т. Н. Кост, А. Б. Чеботарева, М. А. Тимофеев

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына

Аннотация: Пленки легированного фтором оксида индия (IFO) осаждали методом ультразвукового спрей-пиродиза на структуры $(pp^+)$Si и $(n^+nn^+)$Si из монокристаллического кремния. Исследовали влияние длительности осаждения IFO, а также длительности отжига в атмосфере аргона с парами метанола на химический состав IFO, фотонапряжение и фактор заполнения зависимостей Illumination–$U_{\mathrm{oc}}$ структур IFO/$(pp^+)$Si, а также на слоевое сопротивление структур IFO/$(n^+nn^+)$Si, коррелирующее с сопротивлением контакта IFO/$(n^+)$Si. Обнаруженные закономерности объяснены модификацией свойств переходного слоя SiO$_x$ на границе IFO/Si как в процессе осаждения, так и при отжиге. Анализ полученных результатов позволил оптимизировать условия изготовления солнечных элементов на основе IFO/$(pp^+)$Si-гетероструктур и повысить их эффективность с 17% до рекордных 17.8%.

Поступила в редакцию: 19.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:3, 415–421

Реферативные базы данных:

•