Л. К. Марков, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин, Е. Д. Васильева, А. Е. Черняков, А. С. Усиков, “Сравнение свойств светодиодных кристаллов AlGaInN вертикальной и флип-чип конструкции с использованием кремния в качестве платы-носителя”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 3,страницы 386

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Сравнение свойств светодиодных кристаллов AlGaInN вертикальной и флип-чип конструкции с использованием кремния в качестве платы-носителя

Л. К. Марков^a, И. П. Смирнова^a, А. С. Павлюченко^a, М. В. Кукушкин^b, Е. Д. Васильева^b, А. Е. Черняков^c, А. С. Усиков^d

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b ЗАО Инновационная фирма "ТЕТИC", 194156 Санкт-Петербург, Россия
^c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^d De Core Nanosemiconductors Ltd., 382011 Gujarat, India

Аннотация: Проведено сравнение вертикальных и флип-чип светодиодных кристаллов AlGaInN с точки зрения характера растекания тока в активной области, распределения локальных температур и тепловых сопротивлений кристаллов. Были изготовлены светодиодные кристаллы AlGaInN вертикальной конструкции с использованием кремния в качестве подложки-носителя и флип-чип светодиодные кристаллы с удаленной сапфировой подложкой, также размещенные на кремниевой подкристальной плате. Активные области обоих кристаллов совпадали и составили порядка 1 мм$^2$. Было показано, что как светимость поверхности кристалла в видимом диапазоне, так и распределение локальных температур, оцененное по излучению в инфракрасном диапазоне, более однородны в кристалах вертикальной конструкции. Теплоотвод кристаллов флип-чип конструкции недостаточен в областях $n$-контакта, которые не имеют хорошего теплового контакта с подкристальной платой. В итоге суммарные тепловые сопротивления между $p$–$n$-переходом и кремниевой платой как кристаллов вертикальной конструкции, так и флип-чип кристаллов составили приблизительно 1 К/Вт. При этом общая площадь кристалла флип-чип конструкции превышает площадь кристалла вертикальной конструкции в 1.4 раза.

Поступила в редакцию: 07.06.2012
Принята в печать: 18.06.2012