Эта публикация цитируется в 4 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO$_2$, сенсибилизированного нанокристаллами CdSe

К. А. Дроздов, В. И. Кочнев, А. А. Добровольский, Р. Б. Васильев, А. В. Бабынина, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Внедрение в пористую матрицу SnO$_2$ нанокристаллов (коллоидных квантовых точек) CdSe приводит к появлению фотопроводимости в рассматриваемых структурах. Сенсибилизация является следствием зарядового обмена между квантовой точкой и матрицей. Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости показало, что за оптическую активность структуры ответственны внедренные в матрицу нанокристаллы. Фотопроводимость структур, сенсибилизированных квантовыми точками разного размера, исследована в области температур 77–300 K. Пoказано, что максимальная фотопроводимость достигается при внедрении нанокристаллов минимального размера 2.7 нм. Обсуждаются механизмы переноса носителей заряда в матрице и кинетика зарядового обмена.

Поступила в редакцию: 27.06.2012
Принята в печать: 02.07.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:3, 383–386

Реферативные базы данных:

•