Эта публикация цитируется в 11 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой

А. Л. Шиленас^a, Ю. К. Пожела^a, К. Пожела^a, В. Юцене^a, И. С. Васильевский^bc, Г. Б. Галиев^b, С. С. Пушкарев^b, Е. А. Климов<sup>b

a</sup> Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, 01108 Вильнюс, Литва
^b Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия
^c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Исследована зависимость подвижности и дрейфовой скорости электронов от условий роста, толщины и параметров легирования InAs-вставки в центре квантовой ямы селективно легированной гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InAlAs. Получено рекордное повышение до (2–4) $\cdot$ 10$^7$ см/с дрейфовой скорости электронов в электрическом поле 5 $\cdot$ 10$^3$ В/см в квантовый яме InGaAs толщиной 17 нм при толщине нелегированной InAs-вставки 4 нм. Показано, что при дополнительном легировании InAs-вставки с повышением плотности электронов в квантовой яме до 4.0 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$ максимальная дрейфовая скорость достигает 2 $\cdot$ 10$^7$ см/с в поле 7 $\cdot$ 10$^3$ В/см.

Поступила в редакцию: 16.07.2012
Принята в печать: 25.07.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:3, 372–375

Реферативные базы данных:

•