Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Зависимость эффективности комбинационного рассеяния света в ансамблях кремниевых нанонитей от длины волны возбуждения

К. В. Буньков^a, Л. А. Головань^ab, К. А. Гончар^a, В. Ю. Тимошенко^a, П. К. Кашкаров^ab, M. Kulmas^c, V. Sivakov<sup>c

a</sup> Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
^b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
^c Institut für Photonische Technologien, 07745 Jena, Germany

Аннотация: Исследованы особенности комбинационного рассеяния света в слоях кремниевых нанонитей диаметром от 50 до 350 нм, полученных химическим травлением в растворах плавиковой кислоты пластин кристаллического кремния ($c$-Si) с предаварительно нанесенными наночастицами серебра. Использовались пластины $c$-Si с различной кристаллографической ориентацией и различным уровнем легирования, что обусловило различия в размерах и упорядоченности возникших наноструктур. Установлено, что излучение комбинационного рассеяния света образцов деполяризовано, а его эффективность существенно зависит от длины волны возбуждения. При возбуждении светом с длиной волны 1064 нм отношение интенсивности комбинационного рассеяния света образцов кремниевых нанонитей к соответствующей величине для $c$-Si составляло от 2 до 5, тогда как с уменьшением длины волны это отношение возрастало для структур с большим диаметром кремниевых нанонитей и большей упорядоченностью и падало для менее упорядоченных структур. Полученные результаты объясняются эффектом частичной локализации света в ансамблях кремниевых нанонитей.

Поступила в редакцию: 19.04.2012
Принята в печать: 10.05.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:3, 354–357

Реферативные базы данных:

•