RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 3, страницы 320–323 (Mi phts7847)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Размерный оптический эффект в наноструктурированных пленках In$_2$O$_3$

В. Н. Катеринчук, З. Р. Кудринский

Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Размерный оптический эффект в поверхностно-наноструктурированных пленках In$_2$O$_3$ выявлен благодаря исследованиям фотоэлектрических свойств гетероструктур In$_2$O$_3$$p$-InSe с анизотропной подложкой. При изготовлении таких структур поверхность собственного окисла структуриpуется в ансамбль наноигл, топология которых зависит от времени формирования структур. Особенности выступов поверхности окисла исследованы с помощью изображений в атомно-силовом микроскопе. Установлена прямая зависимость между топологией поверхности и структурой спектров фотоответа гетероструктур. Чем выше плотность, высота и упорядочение наноигл на поверхности окисла, тем заметнее длинноволновый сдвиг и интенсивнее проявление краевого пика в спектрах фотоответа. Все изменения спектров интерпретируются на основе модели взаимодействия света с наноразмерной ячеистой поверхностью окисла, которая приводит к сильной дифракции лучей.

Поступила в редакцию: 20.03.2012
Принята в печать: 02.04.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:3, 345–348

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026